非饱和区的电流-电压特性， MOS管是一个电压控制器件，在栅压作用下，只要沟道形成，MOS管就工作在饱和区或非饱和区（不考虑器件击穿）。饱和区与非饱和区是以漏极处的沟道是否夹断来划分的，在特性曲线上是以VDS大于（VGS-VT）还是小于（VGS-VT）来划分的。下面我们分别研究一下非饱和区与饱和区的沟道电流与栅压、漏电压之间的定量关系。
非饱和区的电流-电压特性， MOS管是一个电压控制器件，在栅压作用下，只要沟道形成，MOS管就工作在饱和区或非饱和区（不考虑器件击穿）。饱和区与非饱和区是以漏极处的沟道是否夹断来划分的，在特性曲线上是以VDS大于（VGS-VT）还是小于（VGS-VT）来划分的。下面我们分别研究一下非饱和区与饱和区的沟道电流与栅压、漏电压之间的定量关系。
MOS管输出特性曲线，可像双极型管一样用JT-1图示仪显示出来，如图1-20所。前面对MOS管的工作情况，已经作了简单的介绍，现在进一步分析MOS管的输出特性。所谓MOS管的输出特性，是指当栅源电压一定，漏源电流IDS随漏源电压的变化规律。
MOS管输出特性曲线，可像双极型管一样用JT-1图示仪显示出来，如图1-20所。前面对MOS管的工作情况，已经作了简单的介绍，现在进一步分析MOS管的输出特性。所谓MOS管的输出特性，是指当栅源电压一定，漏源电流IDS随漏源电压的变化规律。
MOS器件的阈值电压,MOS阈值电压，阈值电压VT 所谓MOS器件的阀值电压，是指器件的漏源刚好导通时的栅电压。这实际上要满足Si表面达到强反型条件，即表面势image.png。那么究竟要加多大的栅电压才能满足强反型条件呢？如果源极接地，这里的栅电压就是指栅源电压VGS。
MOS器件的阈值电压,MOS阈值电压，阈值电压VT 所谓MOS器件的阀值电压，是指器件的漏源刚好导通时的栅电压。这实际上要满足Si表面达到强反型条件，即表面势image.png。那么究竟要加多大的栅电压才能满足强反型条件呢？如果源极接地，这里的栅电压就是指栅源电压VGS。
MOS系统的硅表面的MOS系统是比较复杂的。因此，在没有外电场作用的情况下，Si表面可能已经形成空间电荷区，而使能带发生弯曲。下面将分别讨论由于金属与半导体功函数不同，以及栅氧化层中的有效表面态电荷密度对Si表面的影响。
MOS系统的硅表面的MOS系统是比较复杂的。因此，在没有外电场作用的情况下，Si表面可能已经形成空间电荷区，而使能带发生弯曲。下面将分别讨论由于金属与半导体功函数不同，以及栅氧化层中的有效表面态电荷密度对Si表面的影响。
MOS电容-半导体物理器件特性及MOS管电容MOS电容由金属一氧化物-半导体构成的MOS系统，可以看成一个平行板电容器，金属和半导体看作两块平行板，中间的SiO2为绝索介质，如图1-11（a）所示。根据电容的定义，必须满足：式中VG为加在MOS电容上的栅电压，Qm为金属表面的电荷量。根据电中性条件，Qm在数值上应等于整个空间电荷区的电荷量Qb。
MOS电容-半导体物理器件特性及MOS管电容MOS电容由金属一氧化物-半导体构成的MOS系统，可以看成一个平行板电容器，金属和半导体看作两块平行板，中间的SiO2为绝索介质，如图1-11（a）所示。根据电容的定义，必须满足：式中VG为加在MOS电容上的栅电压，Qm为金属表面的电荷量。根据电中性条件，Qm在数值上应等于整个空间电荷区的电荷量Qb。
MOS结构表面势，MOS管晶体管的物理基础一、理想 MOS系统在外场作用下的硅表面二、表面势及空间电荷区的电荷从上面讨论知道，表面势φs的大小，是表征空间电荷区电荷量多少的一个量。它们的数量关系在后面的讨论中是非常有用的。1、表面势 半导体表面空间电荷区在Si-SiO2界面处的表面势，可以通过解泊松方程来求得。一般情况下，空间电荷区内存在着电离的受主N2和施主NA，还有电子和空穴P
MOS结构表面势，MOS管晶体管的物理基础一、理想 MOS系统在外场作用下的硅表面二、表面势及空间电荷区的电荷从上面讨论知道，表面势φs的大小，是表征空间电荷区电荷量多少的一个量。它们的数量关系在后面的讨论中是非常有用的。1、表面势 半导体表面空间电荷区在Si-SiO2界面处的表面势，可以通过解泊松方程来求得。一般情况下，空间电荷区内存在着电离的受主N2和施主NA，还有电子和空穴P
MOS晶体管的物理基础上面简要地介绍了MOS晶体管的结构，类型及工作原理。为了深入了解MOS晶体管的特性，有必要对组成MOS晶体管的MOS系统的物理性质作进一步的分析讨论。比如，半导体Si和氧化物交界处的Si表面，是如何随着外加电场变化的，MOS晶体管的阀值电压VT 与哪些因素有关等，这是本节讨论的主要内容。一、理想MOS系统在外场作用下的硅表面大家知道，实际MOS系统的情况是很复杂的。如金属与半
MOS晶体管的物理基础上面简要地介绍了MOS晶体管的结构，类型及工作原理。为了深入了解MOS晶体管的特性，有必要对组成MOS晶体管的MOS系统的物理性质作进一步的分析讨论。比如，半导体Si和氧化物交界处的Si表面，是如何随着外加电场变化的，MOS晶体管的阀值电压VT 与哪些因素有关等，这是本节讨论的主要内容。一、理想MOS系统在外场作用下的硅表面大家知道，实际MOS系统的情况是很复杂的。如金属与半
MOS场效应晶体管的特性：（1）功耗低 （2）器件几何尺寸小 （3）制造工艺简单 ，MOS场效应晶体管的特性是一种表面器件，它的工作原理、导电机理和制造方法与双极型晶本管相比，有很大的不同。
MOS场效应晶体管的特性：（1）功耗低 （2）器件几何尺寸小 （3）制造工艺简单 ，MOS场效应晶体管的特性是一种表面器件，它的工作原理、导电机理和制造方法与双极型晶本管相比，有很大的不同。
MOS晶体管的类型根据导电载流子的不同，可分为N沟道MOS晶体管和P沟道MOS晶体管。每种沟道的MOS晶体管的类型又可根据不同的工作方式，再分为增强型和耗尽型两种。因此，MOS晶体管的类型共有四种类型，现将它们的情况归纳于表1-1之中。
MOS晶体管的类型根据导电载流子的不同，可分为N沟道MOS晶体管和P沟道MOS晶体管。每种沟道的MOS晶体管的类型又可根据不同的工作方式，再分为增强型和耗尽型两种。因此，MOS晶体管的类型共有四种类型，现将它们的情况归纳于表1-1之中。
MOS场效应晶体管的结构特性及工作原理基本都是由一个个MOS晶体管组成的,因此MOS晶体管是MOS集成电路的基础。在讨论MOS电路之前,必须对MOS晶体管的原理、基本特性和各种参数有个深入的了解。本章主要叙述MOS场效应晶体管的物理基础、基本特性及其主要参数。MOS晶体管一般介绍一、MOS场效应晶体管的结构及工作原理1.N沟道MOS晶体管图1-1表示一个N沟道MOS场效应晶体管的结构模型。它
MOS场效应晶体管的结构特性及工作原理基本都是由一个个MOS晶体管组成的,因此MOS晶体管是MOS集成电路的基础。在讨论MOS电路之前,必须对MOS晶体管的原理、基本特性和各种参数有个深入的了解。本章主要叙述MOS场效应晶体管的物理基础、基本特性及其主要参数。MOS晶体管一般介绍一、MOS场效应晶体管的结构及工作原理1.N沟道MOS晶体管图1-1表示一个N沟道MOS场效应晶体管的结构模型。它
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