E/EMOS瞬态响应,MOS晶体管理论上是一种很快的开关器件，然而实际MOS电路的开关速度要比理论慢得多，其主要原因是电路存在着较大的寄生电容。图2-19是一个饱和负载倒相器电路，在图上标出了各种寄生电容。其中image.png表示输入端的沟道电容、栅源电容和布线电容的等效电容；image.png表示输出端的栅漏电容、源漏电容和布线电容的等效电容；image.png表示下一级电路的输入电容。ima
E/EMOS瞬态响应,MOS晶体管理论上是一种很快的开关器件，然而实际MOS电路的开关速度要比理论慢得多，其主要原因是电路存在着较大的寄生电容。图2-19是一个饱和负载倒相器电路，在图上标出了各种寄生电容。其中image.png表示输入端的沟道电容、栅源电容和布线电容的等效电容；image.png表示输出端的栅漏电容、源漏电容和布线电容的等效电容；image.png表示下一级电路的输入电容。ima
MOS倒相器的瞬态响应1、开关时间 与E/DMOS倒相器的情况相同，输入电平由“0”跳变到“1”，或从“1”跳变到“0”的瞬间，E/D MOS倒相器在由截止变为导通或由导通变为裁止的过程中，都要通过负载电容image.png放电或充电。
MOS倒相器的瞬态响应1、开关时间 与E/DMOS倒相器的情况相同，输入电平由“0”跳变到“1”，或从“1”跳变到“0”的瞬间，E/D MOS倒相器在由截止变为导通或由导通变为裁止的过程中，都要通过负载电容image.png放电或充电。
E/E MOS倒相器的静态特性分析1、输出电压的讨论 从上面分析知道，倒相器工作有“开”和“关”两个状态，即导通态和截止态；在输出特性曲线上的工作点A和B所对应的两个电压，即为输出低电平和输出高电平，分别用和表示，如图2-11所示。下面以饱和MOS负载倒相器为例，来讨论输出低电平和输出高电平的表示式。图2-12是倒相器的等效电路。（1）输出低电平 当倒相器充分导通时
E/E MOS倒相器的静态特性分析1、输出电压的讨论 从上面分析知道，倒相器工作有“开”和“关”两个状态，即导通态和截止态；在输出特性曲线上的工作点A和B所对应的两个电压，即为输出低电平和输出高电平，分别用和表示，如图2-11所示。下面以饱和MOS负载倒相器为例，来讨论输出低电平和输出高电平的表示式。图2-12是倒相器的等效电路。（1）输出低电平 当倒相器充分导通时
E/EMOS倒相器工作原理及倒相器性能的影响，E/EMOS倒相器这种倒相器，输入器件和负载器件均为增强型MOS管，称为增强型-增强型MOS倒相器。如按不同的沟道，又可分为PMOS和NMOS倒相器。
E/EMOS倒相器工作原理及倒相器性能的影响，E/EMOS倒相器这种倒相器，输入器件和负载器件均为增强型MOS管，称为增强型-增强型MOS倒相器。如按不同的沟道，又可分为PMOS和NMOS倒相器。
电阻负载MOS倒相器工作原理图2-1是一个以电阻RL为负载的倒相器电路。它的输入管是一个N沟道增强型MOS管image.png，负载是一个纯电阻RL。输入管的源极接地，负载电阻RL一端接管子的漏极，另一端接电源VDD。用输入管的栅极作为输入端，输入信号用电阻负载MOS倒相器（即VGS）表示，输出端由漏与电阻的联结处取出，输出信号用电阻负载MOS倒相器（即VDS）表示。
电阻负载MOS倒相器工作原理图2-1是一个以电阻RL为负载的倒相器电路。它的输入管是一个N沟道增强型MOS管image.png，负载是一个纯电阻RL。输入管的源极接地，负载电阻RL一端接管子的漏极，另一端接电源VDD。用输入管的栅极作为输入端，输入信号用电阻负载MOS倒相器（即VGS）表示，输出端由漏与电阻的联结处取出，输出信号用电阻负载MOS倒相器（即VDS）表示。
MOS晶体管版图形设计举例，制造MOS晶体管，首先要根据给定的参数，设计出符合要求的图形。这里概要介绍一下根据跨导gm的要求，来设计一个MOS晶体管的图形。
MOS晶体管版图形设计举例，制造MOS晶体管，首先要根据给定的参数，设计出符合要求的图形。这里概要介绍一下根据跨导gm的要求，来设计一个MOS晶体管的图形。
MOS晶体管的温度特性及受温度影响，在MOS器件的特性方程及主要参数中，几乎都和导电因子κ及阈电压VT有关，而这两个参数都是随着温度而变化的，因此，温度的变化就直接影响着MOS器件和MOS电路的工作性能及其可靠性。所以
MOS晶体管的温度特性及受温度影响，在MOS器件的特性方程及主要参数中，几乎都和导电因子κ及阈电压VT有关，而这两个参数都是随着温度而变化的，因此，温度的变化就直接影响着MOS器件和MOS电路的工作性能及其可靠性。所以
MOS管的频率在工作频率增高到一定值以后，它的特性就将随着频率的增高而变坏。大家知道，MOS管的沟道区隔着绝缘的氧化层，在这一氧化层上面覆盖着金属栅电极，于是就形成了以氧化物为介质的平板电容器，称为栅电容，用符号image.png表示。如果在某一时刻输入信号的变化使image.png增加时，沟道中感生的载流子将增多。这些感生载流子的增多过程也就是栅电容的充电过程。充电是通过MOS管的通导电阻ima
MOS管的频率在工作频率增高到一定值以后，它的特性就将随着频率的增高而变坏。大家知道，MOS管的沟道区隔着绝缘的氧化层，在这一氧化层上面覆盖着金属栅电极，于是就形成了以氧化物为介质的平板电容器，称为栅电容，用符号image.png表示。如果在某一时刻输入信号的变化使image.png增加时，沟道中感生的载流子将增多。这些感生载流子的增多过程也就是栅电容的充电过程。充电是通过MOS管的通导电阻ima
MOS低频工作时，MOS管的电容效应可以忽略不计，而且输入信号又较小。在这种情况下讨论的参数，称为低频小信号参数。1、MOS管的跨导gm MOS管的跨导，定义为漏源电压一定时，漏源电流随栅源电压的变化率。换句话说，就是当栅源输入电压每变化1V所引起漏源电流的变化量。因此，跨导是表征栅电压控制输出电流变化灵敏度的一个物理量，跨导愈大，控制能力愈强，跨导的单位为西门子，符号为S（A/V）。其数学表达式
MOS低频工作时，MOS管的电容效应可以忽略不计，而且输入信号又较小。在这种情况下讨论的参数，称为低频小信号参数。1、MOS管的跨导gm MOS管的跨导，定义为漏源电压一定时，漏源电流随栅源电压的变化率。换句话说，就是当栅源输入电压每变化1V所引起漏源电流的变化量。因此，跨导是表征栅电压控制输出电流变化灵敏度的一个物理量，跨导愈大，控制能力愈强，跨导的单位为西门子，符号为S（A/V）。其数学表达式
MOS管主要参数，1、漏源截止电流Ioff 对于增强型MOS管，在VGS=0时，管子截止，漏源之间不能导通，即漏源电流应该为零。但由于PN结反向漏电等原因，所以漏源之间仍有很小的漏电流通过，常称为截止漏电流，用Ioff表示。实际上引起的漏电不仅有PN结反向漏电，还有沟道漏电。2、饱和漏极电流IDSS 对于耗尽型MOS管，在VGS=0时，沟道已经存在，MOS管的漏、源两扩散区已经通导。当VGS一定
MOS管主要参数，1、漏源截止电流Ioff 对于增强型MOS管，在VGS=0时，管子截止，漏源之间不能导通，即漏源电流应该为零。但由于PN结反向漏电等原因，所以漏源之间仍有很小的漏电流通过，常称为截止漏电流，用Ioff表示。实际上引起的漏电不仅有PN结反向漏电，还有沟道漏电。2、饱和漏极电流IDSS 对于耗尽型MOS管，在VGS=0时，沟道已经存在，MOS管的漏、源两扩散区已经通导。当VGS一定
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