电子技术论坛
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第一章 MOS晶体管原理与特性
§1.1 MOS晶体管一般介绍
§1.2 MOS 晶体管的物理基础
§1.3 MOS晶体管的输出特性
§1.4 MOS晶体管的主要参数
§1.5 MOS晶体管的最高频率
二、阈值电压温度的变化 |
第二章 MOS倒相器和门电路
§2.1 电阻负载MOS倒相器
§2.2 E/E MOS倒相器
四、MOS倒相器设计举例 |
§2.3 E/DMOS倒相器
§2.4 CMOS倒相器
§2.5 MOS门电路与传输门
第三章 触发器和其它逻辑部件
§3.1 MOS触发器
§3.2 MOS加法器
§3.3 MOS译码器
§3.4 MOS移位寄存器
第四章 大规模集成电路
§4.1 MOS存贮器
§4.2 电荷耦合器件（CCD）
第五章 MOS集成电路设计与布图
§5.1 PMOS集成电路版图设计
§5.2 CMOS集成电路设计
§5.3 超大规模集成电路设计的基本原理简介
第六章 MOS工艺
§6.1 MOS常规工艺
§6.2 硅栅工艺
三、等平面硅栅N沟MOS工艺 |
§6.3 离子注入技术在MOS工艺中的应用
一、离子注入法调整MOS器件的VT | 二、离子注入实现栅自对准 |
§6.4 双层栅工艺
一、MNOS工艺 | 二、MAOS工艺 |
§6.5 CMOS工艺
一、基本CMOS工艺叙述 | 二、离子注入法制造CMOS电路 |
三、SOS技术制造CMOS电路 |
§6.6 E/D MOS工艺
一、离子注入法制造E/DMOS | 二、Sio2-AI2O3双层栅E/DMOS |
三、双扩散法制造E/DMOS |
§6.7 VMOS工艺
一、结构与特点 | 二、VMOS的主要工艺过程 |
§6.8 生产中电路参数的监测方法
