MOS管电容,MOS管电容的工艺,在MOS集成电路中,除MOS场效应管外,常需要把电阻,电容等元件制作在同一块芯片上,有时还要求有较高的匹配精度。下面介绍几种无源元件的制作方法及其特性。在MOS模拟集成电路中,电容是不可缺少的基本元件之一,它的性能优劣和精度的高低直接影响电路的性能。由于在MOS工艺中实现的MOS电容,其匹配精度比电阻好,一般约为0.1%~5%,因此在D/A、A/D和开关电容电路
MOS管电容,MOS管电容的工艺,在MOS集成电路中,除MOS场效应管外,常需要把电阻,电容等元件制作在同一块芯片上,有时还要求有较高的匹配精度。下面介绍几种无源元件的制作方法及其特性。在MOS模拟集成电路中,电容是不可缺少的基本元件之一,它的性能优劣和精度的高低直接影响电路的性能。由于在MOS工艺中实现的MOS电容,其匹配精度比电阻好,一般约为0.1%~5%,因此在D/A、A/D和开关电容电路
MOS管电阻的制作工艺,在MOS集成电路中,除MOS场效应管外,常需要把电阻,电容等元件制作在同一块芯片上,有时还要求有较高的匹配精度。下面介绍几种无源元件的制作方法及其特性。1、漏源扩散区作为电阻,集成电路中最常用的电阻是扩散电阻。双极型集成电路中的扩散电阻是与基区同时制成的,MOS集成电路中的扩散电阻则是同漏源区同时制成的,其电阻的剖面结构图如图4.2-1所示。扩散电阻的薄层电阻范围为10~2
MOS管电阻的制作工艺,在MOS集成电路中,除MOS场效应管外,常需要把电阻,电容等元件制作在同一块芯片上,有时还要求有较高的匹配精度。下面介绍几种无源元件的制作方法及其特性。1、漏源扩散区作为电阻,集成电路中最常用的电阻是扩散电阻。双极型集成电路中的扩散电阻是与基区同时制成的,MOS集成电路中的扩散电阻则是同漏源区同时制成的,其电阻的剖面结构图如图4.2-1所示。扩散电阻的薄层电阻范围为10~2
硅栅CMOS工艺流程,硅栅CMOS工艺步骤,虽级然铝栅CMOS工艺比较成熟、稳定,但由于存在着较大的栅漏、栅源交叠寄生电容,使电路速度较慢,再加上n+、p+沟道截止环占用面积较大,集成度做不高等问题,因此,在等平面隔离n沟硅棚工艺的基础上发展了等平面隔离硅栅 CMOS工艺。此种工艺虽然流程较长,但缩小了CMOS电路的面积,改进了电路的速度性能,且版图设计筒单而规则,宜于用计算机辅助制版,因而已成为
硅栅CMOS工艺流程,硅栅CMOS工艺步骤,虽级然铝栅CMOS工艺比较成熟、稳定,但由于存在着较大的栅漏、栅源交叠寄生电容,使电路速度较慢,再加上n+、p+沟道截止环占用面积较大,集成度做不高等问题,因此,在等平面隔离n沟硅棚工艺的基础上发展了等平面隔离硅栅 CMOS工艺。此种工艺虽然流程较长,但缩小了CMOS电路的面积,改进了电路的速度性能,且版图设计筒单而规则,宜于用计算机辅助制版,因而已成为
CMOS铝栅-硅栅,CMOS铝栅-硅栅工艺,1、p阱氧化和p阱光刻,在n型硅片上热生长一层SiO2,作为P阱离子注入的掩蔽层,氧化层厚度根据离子注入能量、剂量以及p阱再分布温度和时间来定,一般要求在5000埃以上。然后进行光刻,把P阱区的氧化层腐蚀掉。2、P阱硼离子注入和再分布,P阱是CMOS电路中n沟MOS管的衬底,P阱表面杂质浓度的大小,直接影响着n沟MOS场效应管的阈值电压,因此必须严格控制
CMOS铝栅-硅栅,CMOS铝栅-硅栅工艺,1、p阱氧化和p阱光刻,在n型硅片上热生长一层SiO2,作为P阱离子注入的掩蔽层,氧化层厚度根据离子注入能量、剂量以及p阱再分布温度和时间来定,一般要求在5000埃以上。然后进行光刻,把P阱区的氧化层腐蚀掉。2、P阱硼离子注入和再分布,P阱是CMOS电路中n沟MOS管的衬底,P阱表面杂质浓度的大小,直接影响着n沟MOS场效应管的阈值电压,因此必须严格控制
MOS沟道截止环,MOS等平面隔离工艺,在CMOS集成电路中的场效应管之间,原来应该是自然隔离的,如图4.1-4所示。管1的漏源与衬底反偏置,管2的漏源也与衬底反偏置,因此两只管子漏源之间是相互隔离的。但在实际电路中,管子之间存在着寄生的MOS场效应管,称为场反型MOS管。如图4.1-4所示,两只管子之间的区域称为场区,当场区上跨有带负电的铝条时,只要负电压足够高,场区硅的表面也会反型,而使场反型
MOS沟道截止环,MOS等平面隔离工艺,在CMOS集成电路中的场效应管之间,原来应该是自然隔离的,如图4.1-4所示。管1的漏源与衬底反偏置,管2的漏源也与衬底反偏置,因此两只管子漏源之间是相互隔离的。但在实际电路中,管子之间存在着寄生的MOS场效应管,称为场反型MOS管。如图4.1-4所示,两只管子之间的区域称为场区,当场区上跨有带负电的铝条时,只要负电压足够高,场区硅的表面也会反型,而使场反型
CMOS工艺铝栅与硅栅工艺,MOS场效应管中的栅极材料除用铝以外,还可以用多晶硅,只要多晶硅中掺入一定的杂质,使其导电能力较强即可,铝栅CMOS工艺中用铝作栅极材料,由于铝材料不耐高温,因此必须先做高温漏源扩散工艺,最后淀积铝栅电极。例如制作一个p沟MOS管,其具体工艺步骤是,先光刻P沟漏源区,进行硼扩散以形成p沟MOS管的漏和源;再光刻栅去除MOS管沟道区上的原氧化层,进行栅氧化和光刻引线孔;最
CMOS工艺铝栅与硅栅工艺,MOS场效应管中的栅极材料除用铝以外,还可以用多晶硅,只要多晶硅中掺入一定的杂质,使其导电能力较强即可,铝栅CMOS工艺中用铝作栅极材料,由于铝材料不耐高温,因此必须先做高温漏源扩散工艺,最后淀积铝栅电极。例如制作一个p沟MOS管,其具体工艺步骤是,先光刻P沟漏源区,进行硼扩散以形成p沟MOS管的漏和源;再光刻栅去除MOS管沟道区上的原氧化层,进行栅氧化和光刻引线孔;最
CMOS电路是由p沟道和n沟道两种类型的MOS场效应管构成的。我们可以把p沟道MOS场效应管制作在n型硅片衬底上,另外用硼离子注入到n型衬底上,形成一个p阱,把n沟道MOS场效应管制作在p阱里,如图4.1-1a所示。同样,我们也可以把n沟道MOS场效应管制作在p型硅片衬底上,而用磷注入到p型衬底上,形成一个n阱,把p沟道MOS管制作在n阱里,如图4.1-1b所示。图中G为MOS管的栅极,S为源极,
CMOS电路是由p沟道和n沟道两种类型的MOS场效应管构成的。我们可以把p沟道MOS场效应管制作在n型硅片衬底上,另外用硼离子注入到n型衬底上,形成一个p阱,把n沟道MOS场效应管制作在p阱里,如图4.1-1a所示。同样,我们也可以把n沟道MOS场效应管制作在p型硅片衬底上,而用磷注入到p型衬底上,形成一个n阱,把p沟道MOS管制作在n阱里,如图4.1-1b所示。图中G为MOS管的栅极,S为源极,
MOS运放计算机SPICE程序运行辅助,SPICE程序运行说明详解,用户在复旦大学电子工程系的VAX-11/750机上运行SPICE的操作步骤:1、用户注册 按RETURN键,屏幕显示:USERNAME:ⅹⅹⅹⅹ↙,PASSWORD:ⅹⅹⅹⅹ↙, $(待命符)表示进入系统。2、建立输入文件,$ EDI 输入数据文件名↙,INPUT FILE DOES ,NOT EXIST,
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CMOS运放分析,CMOS运放直流工作-直流转换-交流小信号-瞬态特性分析,对一般的运放而言,计算机辅助模拟主要了解以下几项工作特性。1、直流工作点分析,此项分析的目的是为了模拟运放直流工作状态,确认电路各工作点是否符合设计要求。通常,把输入端均接地,此时,出现在输出端的电压是由运放的失调所致。直流分析可用。OP语句完成。2、直流转换待性:用.DC语句或TRAN语句(用.TRAN时,要在输入端加一
CMOS运放分析,CMOS运放直流工作-直流转换-交流小信号-瞬态特性分析,对一般的运放而言,计算机辅助模拟主要了解以下几项工作特性。1、直流工作点分析,此项分析的目的是为了模拟运放直流工作状态,确认电路各工作点是否符合设计要求。通常,把输入端均接地,此时,出现在输出端的电压是由运放的失调所致。直流分析可用。OP语句完成。2、直流转换待性:用.DC语句或TRAN语句(用.TRAN时,要在输入端加一
MOS运放的计算机SPICE通用电路模拟程序,SPICE是一个通用电路模拟程序,可用它对电路进行非线性直流分析、非线性瞬态分析和线性交流分析。所分析的电路中,可包括电阻、电容、电感、互感、独立电压源和独立电流源、四种类型的受控源、传输线,以及四种最通用的半导体器件;二极管、双极型晶体管、结型场效应管和MOS场效应管。下面结合CMOS运放的模拟,对SPICE程序的调用方法作一简单介绍(一)SPICE
MOS运放的计算机SPICE通用电路模拟程序,SPICE是一个通用电路模拟程序,可用它对电路进行非线性直流分析、非线性瞬态分析和线性交流分析。所分析的电路中,可包括电阻、电容、电感、互感、独立电压源和独立电流源、四种类型的受控源、传输线,以及四种最通用的半导体器件;二极管、双极型晶体管、结型场效应管和MOS场效应管。下面结合CMOS运放的模拟,对SPICE程序的调用方法作一简单介绍(一)SPICE