CMOS铝栅-硅栅等平面隔离典型工艺分布流程详解

铝栅CMOS的流程如图4.1-7所示。简单说明如下：

1、p阱氧化和p阱光刻

在n型硅片上热生长一层SiO2，作为P阱离子注入的掩蔽层，氧化层厚度根据离子注入能量、剂量以及p阱再分布温度和时间来定，一般要求在5000埃以上。然后进行光刻，把P阱区的氧化层腐蚀掉。

2、P阱硼离子注入和再分布

P阱是CMOS电路中n沟MOS管的衬底，P阱表面杂质浓度的大小，直接影响着n沟MOS场效应管的阈值电压，因此必须严格控制P阱离子注入的能量，剂量及随后进行的P阱再分布条件，由于P阱的杂质浓度较淡（表面浓度约10¹⁵/厘米³，随着扩散深度加大，浓度越来越淡），n沟漏源区与P阱之间的p-n结耗尽层宽度就比较宽，因此P阱深度不能太浅，以防止n沟漏源区与n^-硅衬底之间的穿通，并避免寄生npn双极型晶体管的β过大。一般P阱深度约8~10微米，再分布温度为1200℃，时间为10小时左右。

在P阱再分布的同时，也进行着热氧化，以作为下道p⁺、n^-扩散时的掩蔽。在热氧化过程中，必然会有很多B⁺离子跑到SiO2中去，因此离子注入的剂量必须适当大一些，定量分析可由计算机工艺模拟进行计算，一般取1013/厘米²数量级。

3、P沟道漏源光刻和漏源硼扩散

在P沟道漏源光刻的同时，把NMOS管周围的P⁺沟道截止环同时刻出，以便一起进行P⁺硼扩散。在硼扩散的同时还进行热氧化，以作为p⁺区上的保护层及下一道n⁺扩散的掩蔽。

4、n沟道漏源光刻和漏源磷扩散

在n沟道漏源光刻的同时，把PMOS晶体管周围的n⁺沟道截止环同时刻出，以便一起进行n+磷扩散。在磷扩散的同时还进行热氧化，以作为n⁺区上的保护层。

5、光刻栅

在刻出MOS管栅区的同时，把引线孔也刻出，以便于以后的引线孔腐蚀。

6、栅氧化和接触孔光刻

用清洁氧化工艺在硅片上生长一层优质的薄栅氧化层，然后进行引线孔光刻。

7、蒸铝反刻和合金

联系方式：邹先生

联系电话：0755-83888366-8022

手机：18123972950

QQ：2880195519

联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1

请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号

请“关注”官方微信公众号:提供  MOS管  技术帮助