PN结：从PN结说起PN结是半导体的基础，掺杂是半导体的灵魂，先明确几点：1、P型和N型半导体：本征半导体掺杂三价元素，根据高中学的化学键稳定性原理，会有“空穴”容易导电，因此，这里空穴是“多子”即多数载流子，掺杂类型为P(positive)型;同理，掺杂五价元素，电子为“多子”，掺杂类型为N(negative)型。2、载流子：导电介质，分为多子和少子，概念很重要，后边会引用3、空穴”带正电，电子
PN结：从PN结说起PN结是半导体的基础，掺杂是半导体的灵魂，先明确几点：1、P型和N型半导体：本征半导体掺杂三价元素，根据高中学的化学键稳定性原理，会有“空穴”容易导电，因此，这里空穴是“多子”即多数载流子，掺杂类型为P(positive)型;同理，掺杂五价元素，电子为“多子”，掺杂类型为N(negative)型。2、载流子：导电介质，分为多子和少子，概念很重要，后边会引用3、空穴”带正电，电子
对于电源工程师来说，很多时候都在看波形，比如看输入波形、MOS开关波形、电流波形、输出二极管波形、芯片波形、MOS管的GS波形……接下来，咱们聊一下GS波形。我们测试MOS管GS波形时，有时会看到图1这种波形，在芯片输出端是非常好的方波输出，可一旦到了MOS管的G极就出问题了——有振荡。这个振荡小的时候还能勉强过关，但有时候振荡特别大，看着都令人担心会不会重启。 图1 那么，这个波形中的振荡是怎么
对于电源工程师来说，很多时候都在看波形，比如看输入波形、MOS开关波形、电流波形、输出二极管波形、芯片波形、MOS管的GS波形……接下来，咱们聊一下GS波形。我们测试MOS管GS波形时，有时会看到图1这种波形，在芯片输出端是非常好的方波输出，可一旦到了MOS管的G极就出问题了——有振荡。这个振荡小的时候还能勉强过关，但有时候振荡特别大，看着都令人担心会不会重启。 图1 那么，这个波形中的振荡是怎么
反激电源MOS D-S之间电压波形产生的原因？这是一个典型的问题，本质原因就是功率级寄生电容、电感引起的谐振，然而几天后我发现，当时我并没有充分理解问题，这位朋友所要了解的问题其实应细化为：为什么会有两次谐振，谐振产生的模型是怎样的？如下为反激式电源实现方案，该方案采用初级侧稳压（PSR）技术，Q1导通时，变压器初级电感存储能量，输出续流二极管Dfly反向偏置，Cout输出能量给负载；Q1关断时，
反激电源MOS D-S之间电压波形产生的原因？这是一个典型的问题，本质原因就是功率级寄生电容、电感引起的谐振，然而几天后我发现，当时我并没有充分理解问题，这位朋友所要了解的问题其实应细化为：为什么会有两次谐振，谐振产生的模型是怎样的？如下为反激式电源实现方案，该方案采用初级侧稳压（PSR）技术，Q1导通时，变压器初级电感存储能量，输出续流二极管Dfly反向偏置，Cout输出能量给负载；Q1关断时，
mos管隔离驱动电路，如果驱动高压MOS管，我们需要采用变压器驱动的方式和集成的高边开关。这两个解决方案都有自己的优点和缺点，适合不同的应用。集成高边驱动器方案很方便，优点是电路板面积较小，缺点是有很大的导通和关断延迟。变压器耦合解决方案的优点是延迟非常低，可以在很高的压差下工作。常它需要更多，缺点是需要很多的元件并且对变压器的运行有比较深入的认识。变压器常见问题和与MOS管驱动相关的问题：变压器
mos管隔离驱动电路，如果驱动高压MOS管，我们需要采用变压器驱动的方式和集成的高边开关。这两个解决方案都有自己的优点和缺点，适合不同的应用。集成高边驱动器方案很方便，优点是电路板面积较小，缺点是有很大的导通和关断延迟。变压器耦合解决方案的优点是延迟非常低，可以在很高的压差下工作。常它需要更多，缺点是需要很多的元件并且对变压器的运行有比较深入的认识。变压器常见问题和与MOS管驱动相关的问题：变压器
MOS管因为其导通内阻低，开关速度快，因此被广泛应用在开关电源上。而用好一个MOS管，其驱动电路的设计就很关键。下面分享几种常用的驱动电路。一、电源IC直接驱动电源IC直接驱动是很简单的驱动方式，应该注意几个参数以及这些参数的影响。①查看电源IC手册的很大驱动峰值电流，因为不同芯片，驱动能力很多时候是不一样的。②了解MOS管的寄生电容，如图C1、C2的值，这个寄生电容越小越好。如果C1、C2的值比
MOS管因为其导通内阻低，开关速度快，因此被广泛应用在开关电源上。而用好一个MOS管，其驱动电路的设计就很关键。下面分享几种常用的驱动电路。一、电源IC直接驱动电源IC直接驱动是很简单的驱动方式，应该注意几个参数以及这些参数的影响。①查看电源IC手册的很大驱动峰值电流，因为不同芯片，驱动能力很多时候是不一样的。②了解MOS管的寄生电容，如图C1、C2的值，这个寄生电容越小越好。如果C1、C2的值比
关于三极管简单讲解一下三极管，如果三极管工作在饱和区（完全导通），Rce≈0，Vce≈0.3V，且这个0.3V，我们就认为它直接接地了。那么就需要让Ib大于等于1mA，若Ib=1mA, Ic=100mA，它的放大倍数β=100，三极管完全导通。如下图，是一个NPN三极管。三极管基础知识参考文章：四句口诀，玩转三极管！三极管属于电流型驱动元器件，因此一般在基极都会串一个限流电阻，一般小于等于10K，
关于三极管简单讲解一下三极管，如果三极管工作在饱和区（完全导通），Rce≈0，Vce≈0.3V，且这个0.3V，我们就认为它直接接地了。那么就需要让Ib大于等于1mA，若Ib=1mA, Ic=100mA，它的放大倍数β=100，三极管完全导通。如下图，是一个NPN三极管。三极管基础知识参考文章：四句口诀，玩转三极管！三极管属于电流型驱动元器件，因此一般在基极都会串一个限流电阻，一般小于等于10K，
一、H桥驱动原理1)电机驱动电路首先，单片机能够输出直流信号，但是它的驱动才能也是有限的，所以单片机普通做驱动信号，驱动大的功率管如MOS管，来产生大电流从而驱动电机，且占空比大小能够经过驱动芯片控制加在电机上的均匀电压到达转速调理的目的。电机驱动主要采用N沟道MOSFET构建H桥驱动电路，H 桥是一个典型的直流电机控制电路，由于它的电路外形酷似字母 H，故得名曰“H 桥”。4个开关组成H的4条垂
一、H桥驱动原理1)电机驱动电路首先，单片机能够输出直流信号，但是它的驱动才能也是有限的，所以单片机普通做驱动信号，驱动大的功率管如MOS管，来产生大电流从而驱动电机，且占空比大小能够经过驱动芯片控制加在电机上的均匀电压到达转速调理的目的。电机驱动主要采用N沟道MOSFET构建H桥驱动电路，H 桥是一个典型的直流电机控制电路，由于它的电路外形酷似字母 H，故得名曰“H 桥”。4个开关组成H的4条垂
一、MOS管应用电路MOS驱动，有几个特别的需求:低压应用当运用5V电源，这时分假如运用传统的图腾柱构造，由于三极管的Vbe有0.7V左右的压降，招致实践最终加在Gate上的电压只要4.3V。这时分，我们选用标称Gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险；同样的问题也发作在运用3V或者其他低压电源的场所。宽电压应用输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他要素而变动。这个变动招致PWM电路
一、MOS管应用电路MOS驱动，有几个特别的需求:低压应用当运用5V电源，这时分假如运用传统的图腾柱构造，由于三极管的Vbe有0.7V左右的压降，招致实践最终加在Gate上的电压只要4.3V。这时分，我们选用标称Gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险；同样的问题也发作在运用3V或者其他低压电源的场所。宽电压应用输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他要素而变动。这个变动招致PWM电路
小电流mos管发热分析mos管，做电源设计，或者做驱动方面的电路，难免要用到MOS管。MOS管有很多种类，也有很多作用。做电源或者驱动的使用，当然就是用它的开关作用。无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中
小电流mos管发热分析mos管，做电源设计，或者做驱动方面的电路，难免要用到MOS管。MOS管有很多种类，也有很多作用。做电源或者驱动的使用，当然就是用它的开关作用。无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中
在电子电路中，MOS管和IGBT管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似。那为什么有些电路用MOS管，而有些电路用IGBT管？下面我们就来了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么区别吧！1、什么是MOS管？场效应管主要有两种类型，分别是结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）。MOS管即MOSFET，中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶
在电子电路中，MOS管和IGBT管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似。那为什么有些电路用MOS管，而有些电路用IGBT管？下面我们就来了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么区别吧！1、什么是MOS管？场效应管主要有两种类型，分别是结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）。MOS管即MOSFET，中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶
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