摘要：板子上的功率MOS管是否能持续安全工作，是设计者最担心的问题。炸机、用着用着就坏了、莫名其妙MOS管就炸了，遇到这些真是又怕又恨，可到底是哪里出问题了呢？这一切其实都和SOA有关。 我们知道开关电源中MOSFET、IGBT是最核心也是最容易烧坏的器件。开关器件长期工作于高电压大电流状态，承受着很大的功耗，一但过压或过流就会导致功耗大增，晶圆结温急剧上升，如果散热不及时，就会导致器件损坏，甚至
摘要：板子上的功率MOS管是否能持续安全工作，是设计者最担心的问题。炸机、用着用着就坏了、莫名其妙MOS管就炸了，遇到这些真是又怕又恨，可到底是哪里出问题了呢？这一切其实都和SOA有关。 我们知道开关电源中MOSFET、IGBT是最核心也是最容易烧坏的器件。开关器件长期工作于高电压大电流状态，承受着很大的功耗，一但过压或过流就会导致功耗大增，晶圆结温急剧上升，如果散热不及时，就会导致器件损坏，甚至
MOS管工作原理动画 绝缘型场效应管的栅极与源极、栅极和漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离，因此而得名。又因栅极为金属铝，故又称为MOS管。它的栅极-源极之间的电阻比结型场效应管大得多，可达1010Ω以上，还因为它比结型场效应管温度稳定性好、集成化时温度简单，而广泛应用于大规模和超大规模集成电路中。与结型场效应管相同，MOS管工作原理动画示意图也有N沟道和P沟道两类，但每一类又分为增强型和耗尽型两种
MOS管工作原理动画 绝缘型场效应管的栅极与源极、栅极和漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离，因此而得名。又因栅极为金属铝，故又称为MOS管。它的栅极-源极之间的电阻比结型场效应管大得多，可达1010Ω以上，还因为它比结型场效应管温度稳定性好、集成化时温度简单，而广泛应用于大规模和超大规模集成电路中。与结型场效应管相同，MOS管工作原理动画示意图也有N沟道和P沟道两类，但每一类又分为增强型和耗尽型两种
MOS管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个
MOS管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个
防反接保护电路 通常情况下直流电源输入防反接保护电路是利用二极管的单向导电性来实现防反接保护。 如下图1所示：图1 一只串联二极管保护系统不受反向极性影响，二极管有0.7V的压降。 这种接法简单可靠，但当输入大电流的情况下功耗影响是非常大的。以输入电流额定值达到2A,如选用Onsemi的快速恢复二极管 MUR3020PT，额定管压降为0.7V，那么功耗至少也要达到：Pd＝2A×0.7V＝1.4W，
防反接保护电路 通常情况下直流电源输入防反接保护电路是利用二极管的单向导电性来实现防反接保护。 如下图1所示：图1 一只串联二极管保护系统不受反向极性影响，二极管有0.7V的压降。 这种接法简单可靠，但当输入大电流的情况下功耗影响是非常大的。以输入电流额定值达到2A,如选用Onsemi的快速恢复二极管 MUR3020PT，额定管压降为0.7V，那么功耗至少也要达到：Pd＝2A×0.7V＝1.4W，
在电子电路中，MOS 管和 IGBT 管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS 管和 IGBT 管在外形及特性参数也比较相似，那为什么有些电路用 MOS 管？而有些电路用 IGBT 管？下面我们就来了解一下，MOS 管和 IGBT 管到底有什么区别吧！什么是 MOS 管？场效应管主要有两种类型，分别是结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS 管）。MOS 管即 MOSFET，中文
在电子电路中，MOS 管和 IGBT 管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS 管和 IGBT 管在外形及特性参数也比较相似，那为什么有些电路用 MOS 管？而有些电路用 IGBT 管？下面我们就来了解一下，MOS 管和 IGBT 管到底有什么区别吧！什么是 MOS 管？场效应管主要有两种类型，分别是结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS 管）。MOS 管即 MOSFET，中文
MOS管驱动设计一般认为MOSFET是电压驱动的，不需要驱动电流。然而，在MOS的G、S两级之间有结电容存在，这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。如果不考虑纹波和EMI等要求的话，MOS管开关速度越快越好，因为开关时间越短，开关损耗越小，而在开关电源中开关损耗占总损耗的很大一部分，因此MOS管驱动电路的好坏直接决定了电源的效率。 对于一个MOS管，如果把GS之间的电压从0拉到管子的开启电压所用的
MOS管驱动设计一般认为MOSFET是电压驱动的，不需要驱动电流。然而，在MOS的G、S两级之间有结电容存在，这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。如果不考虑纹波和EMI等要求的话，MOS管开关速度越快越好，因为开关时间越短，开关损耗越小，而在开关电源中开关损耗占总损耗的很大一部分，因此MOS管驱动电路的好坏直接决定了电源的效率。 对于一个MOS管，如果把GS之间的电压从0拉到管子的开启电压所用的
一般情况下普遍用于高端驱动的MOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压，而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。MOS管是电压驱动，按理说只要栅极电压到到开启电压就能导通DS
一般情况下普遍用于高端驱动的MOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压，而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。MOS管是电压驱动，按理说只要栅极电压到到开启电压就能导通DS
枪温度调试，把风枪调到 320 度，风速 1 档，MOS 管属于小型玻璃管 ， 容易夹裂，所以在拆的时候一定要小心 ， 撬的时候用力一定轻 ， 要顾及周围的元器件不能碰到 ， 如果有带胶的芯片需要避开 ， 吹的过程中风枪不能停留太久。二、撬 MOS 管的时候要用锋利一点的刀片 ， 把刀片放在 MOS 管下面 ， 用手指往上带一点力度 ， 风枪一直对着吹 ， 待锡刚融化时 MOS 管会自然脱落。三、
枪温度调试，把风枪调到 320 度，风速 1 档，MOS 管属于小型玻璃管 ， 容易夹裂，所以在拆的时候一定要小心 ， 撬的时候用力一定轻 ， 要顾及周围的元器件不能碰到 ， 如果有带胶的芯片需要避开 ， 吹的过程中风枪不能停留太久。二、撬 MOS 管的时候要用锋利一点的刀片 ， 把刀片放在 MOS 管下面 ， 用手指往上带一点力度 ， 风枪一直对着吹 ， 待锡刚融化时 MOS 管会自然脱落。三、
MOS 管是金属 （metal） — 氧化物 （oxide） — 半导体 （semiconductor） 场效应晶体管，或者称是金属 — 绝缘体 （insulator） — 半导体。MOS 管的 source 和 drain 是可以对调的，他们都是在 P 型 backgate 中形成的 N 型区。 在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。双极型
MOS 管是金属 （metal） — 氧化物 （oxide） — 半导体 （semiconductor） 场效应晶体管，或者称是金属 — 绝缘体 （insulator） — 半导体。MOS 管的 source 和 drain 是可以对调的，他们都是在 P 型 backgate 中形成的 N 型区。 在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。双极型
相信很多电子设计工作者都知道MOS管，那么你真的知道应该如何使用MOS管吗?MOS管由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10^7~10^12Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 所有 MOS 集成电路 (包括 
相信很多电子设计工作者都知道MOS管，那么你真的知道应该如何使用MOS管吗?MOS管由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10^7~10^12Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 所有 MOS 集成电路 (包括 
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