MOS信号处理器的开关电容电路用MOS技术实现当然，另外一种可供利用的技术是双极性的技术。约在1977年以前，按照所需要的功能双极性与MOS技术间存在着清晰的划分。MOS信号处理器。MOS技术，具有优越的器件密度，多用于数字逻辑与记忆方面的应用，而所有需要模拟功能(如放大、滤波、数据变换)的则用双极性集成电路(如双极运放)来完成。然而，从那时起，MOS制造技术的快速进展使得它可能制造更复杂、更灵活
MOS信号处理器的开关电容电路用MOS技术实现当然，另外一种可供利用的技术是双极性的技术。约在1977年以前，按照所需要的功能双极性与MOS技术间存在着清晰的划分。MOS信号处理器。MOS技术，具有优越的器件密度，多用于数字逻辑与记忆方面的应用，而所有需要模拟功能(如放大、滤波、数据变换)的则用双极性集成电路(如双极运放)来完成。然而，从那时起，MOS制造技术的快速进展使得它可能制造更复杂、更灵活
MOS信号处理器的开关电容电路是模拟系统虽然它们有抽样数据特性，但SC电路仍以模拟方式处理信号，故信号值是被抽样的电压振幅，不进行任何编码。MOS信号处理器。这就使得信号处理中需要的基本运算(乘法、加法、迟延)比在数字电路里更易于进行。故在芯片上运算的密度远比数字信号处理器时为高。不用任何复用，单一芯片上能容纳100个以上极点的线性滤波器节。由于SC系统的电路简单，信号处理的速度高于数字系统，现在
MOS信号处理器的开关电容电路是模拟系统虽然它们有抽样数据特性，但SC电路仍以模拟方式处理信号，故信号值是被抽样的电压振幅，不进行任何编码。MOS信号处理器。这就使得信号处理中需要的基本运算(乘法、加法、迟延)比在数字电路里更易于进行。故在芯片上运算的密度远比数字信号处理器时为高。不用任何复用，单一芯片上能容纳100个以上极点的线性滤波器节。由于SC系统的电路简单，信号处理的速度高于数字系统，现在
MOS信号处理器的开关电容电路是抽样数据系统如前所述，在SC电路里，信号值只是在周期瞬刻计出的，而抽样周期是由-晶体控制的时钟来确定。MOS信号处理器。这一特点，便可能使所有极点与零点值仅与电容比有关(而不是绝对值)，这就可以实现准确度与稳定性良好的高选择性响应。由于只用信号的周期性的抽样，就可能在几个信号信道间，来时分(复用)整个电路或电路中运放等部件，导致高效率的多信道系统。最后，一个SC电路
MOS信号处理器的开关电容电路是抽样数据系统如前所述，在SC电路里，信号值只是在周期瞬刻计出的，而抽样周期是由-晶体控制的时钟来确定。MOS信号处理器。这一特点，便可能使所有极点与零点值仅与电容比有关(而不是绝对值)，这就可以实现准确度与稳定性良好的高选择性响应。由于只用信号的周期性的抽样，就可能在几个信号信道间，来时分(复用)整个电路或电路中运放等部件，导致高效率的多信道系统。最后，一个SC电路
模拟MOS信号处理器-开关电容电路是集成电路解析在一些应用领域内，模拟MOS信号处理器能与早先的信号处理系统的实现方法竞争，甚至于占优势，明确这些应用领域是重要的。MOS开关电容电路是集成电路。为此，下面列举了模拟MOS(典型为开关电容)电路的一些特色，并与其它实现方法进行了比较。MOS开关电容电路是集成电路这个特性对于它的应用的经济性有深远的影响。这样一个电路的研制(理论设计、计算机模拟、电路设
模拟MOS信号处理器-开关电容电路是集成电路解析在一些应用领域内，模拟MOS信号处理器能与早先的信号处理系统的实现方法竞争，甚至于占优势，明确这些应用领域是重要的。MOS开关电容电路是集成电路。为此，下面列举了模拟MOS(典型为开关电容)电路的一些特色，并与其它实现方法进行了比较。MOS开关电容电路是集成电路这个特性对于它的应用的经济性有深远的影响。这样一个电路的研制(理论设计、计算机模拟、电路设
模拟MOS集成电路在信号处理中的应用基本特征电信号处理器一般分为两类：模拟系统与数字系统。模拟系统以电压、电流，电荷等形式传递信号，它们是连续时间变量的连续函数。音频放大器、无源或有源RC滤波器等是模拟信号处理器的一些典型例子。MOS集成电路在信号处理中的应用。相反，在数字系统中，每一信号用一系列数表示，因为这些数只能包含有限数目的数字(典型的是以二进制数孛或比特形式的编码)，它们只能取离散值。而
模拟MOS集成电路在信号处理中的应用基本特征电信号处理器一般分为两类：模拟系统与数字系统。模拟系统以电压、电流，电荷等形式传递信号，它们是连续时间变量的连续函数。音频放大器、无源或有源RC滤波器等是模拟信号处理器的一些典型例子。MOS集成电路在信号处理中的应用。相反，在数字系统中，每一信号用一系列数表示，因为这些数只能包含有限数目的数字(典型的是以二进制数孛或比特形式的编码)，它们只能取离散值。而
解析MOS晶体管版图及其制版示意说明MOS晶体管制版如上所述，掩膜版是通过图形发生器从编码后的布图制造出来的。一般的基本工艺包括把淀积在高质量玻璃板上的薄层铬(金属)膜表面上的光敏感或电子束敏感的抗蚀剂曝光，用类似于10.2节描述的那些工序，将光刻胶显影，然后腐蚀铬膜，在掩膜版上形成所要求的清晰和不透明的区域。MOS晶体管制版。铬是比较好的照相乳胶，因为它很耐磨，而且还可形成较高反差的象。电子束图
解析MOS晶体管版图及其制版示意说明MOS晶体管制版如上所述，掩膜版是通过图形发生器从编码后的布图制造出来的。一般的基本工艺包括把淀积在高质量玻璃板上的薄层铬(金属)膜表面上的光敏感或电子束敏感的抗蚀剂曝光，用类似于10.2节描述的那些工序，将光刻胶显影，然后腐蚀铬膜，在掩膜版上形成所要求的清晰和不透明的区域。MOS晶体管制版。铬是比较好的照相乳胶，因为它很耐磨，而且还可形成较高反差的象。电子束图
解析MOS晶体管版图及其布图编码示意说明MOS晶体管布图编码掩膜版通常用计算机控制的图形发生器来制作，因此，布图一定要以编码的形式提供给这些机器，通常储存在磁带中。实际的制版过程本身是一个复杂的过程，并且与特定的图形发生器的类型和电路制造工艺中所用的光刻设备有关，因此，编码格式视每一种不同类型的机器的要求变化很大。MOS晶体管布图编码。有了软件包可进行布图编码或文件的转换，这一转换可从内部格式到计
解析MOS晶体管版图及其布图编码示意说明MOS晶体管布图编码掩膜版通常用计算机控制的图形发生器来制作，因此，布图一定要以编码的形式提供给这些机器，通常储存在磁带中。实际的制版过程本身是一个复杂的过程，并且与特定的图形发生器的类型和电路制造工艺中所用的光刻设备有关，因此，编码格式视每一种不同类型的机器的要求变化很大。MOS晶体管布图编码。有了软件包可进行布图编码或文件的转换，这一转换可从内部格式到计
解析MOS晶体管版图及其设计绘图示意说明本节简短讨论一下制造一整套（实用的）掩膜版过程中主要得一些方面。这些制造过程可分布图、布图编码和制版。这一节主要对那些正在作器件模拟的读者们有用处，他们可能需要设计一个包含若千个器件的供测试用的芯片。MOS晶体管版图。希望下面的资料将有助于使他们和制造工程师们（或硅产品制造厂）更容易相互配合。MOS晶体管版图如10.1节所述，(布图)设计规则包含了一套对电路
解析MOS晶体管版图及其设计绘图示意说明本节简短讨论一下制造一整套（实用的）掩膜版过程中主要得一些方面。这些制造过程可分布图、布图编码和制版。这一节主要对那些正在作器件模拟的读者们有用处，他们可能需要设计一个包含若千个器件的供测试用的芯片。MOS晶体管版图。希望下面的资料将有助于使他们和制造工程师们（或硅产品制造厂）更容易相互配合。MOS晶体管版图如10.1节所述，(布图)设计规则包含了一套对电路
MOSFET器件隔离-小型化(按比例缩小)的器件隔离原理及结构MOSFET器件隔离集成电路工艺中，MOSFET器件隔离是器件设计的一个组成部分。最广泛使用的隔离技术是硅的局部氧化技术，缩写为LOCOS，在10.3节已作了讨论。LOCOS中的主要问题示于图10.23。可以看到，LOCOS会使氧化膜横向侵入器件工作区(壕沟)，侵入的距离可以与生长的场氧化膜厚度相比，结果形成所谓“鸟嘴”。MOSFET器
MOSFET器件隔离-小型化(按比例缩小)的器件隔离原理及结构MOSFET器件隔离集成电路工艺中，MOSFET器件隔离是器件设计的一个组成部分。最广泛使用的隔离技术是硅的局部氧化技术，缩写为LOCOS，在10.3节已作了讨论。LOCOS中的主要问题示于图10.23。可以看到，LOCOS会使氧化膜横向侵入器件工作区(壕沟)，侵入的距离可以与生长的场氧化膜厚度相比，结果形成所谓“鸟嘴”。MOSFET器
MOSFET沟道区-小型化(按比例缩小)的沟道区原理及结构MOSFET沟道区沟道区由四个主要部分构成：衬底、硅到绝缘膜的界面、栅绝缘膜和栅电极，因为沟道区是所有器件进行工作的地方，因此在器件设计中自然地会对它引起相当大的注意。当然，在衬底中主要的问题是掺杂，它同时决定了器件的阈值电压和它对偏置的灵敏度(或因此缺少)。MOSFET沟道区。在5.8节讨论过，沟道中用一次或多次注入来凋整掺杂水平和掺杂分
MOSFET沟道区-小型化(按比例缩小)的沟道区原理及结构MOSFET沟道区沟道区由四个主要部分构成：衬底、硅到绝缘膜的界面、栅绝缘膜和栅电极，因为沟道区是所有器件进行工作的地方，因此在器件设计中自然地会对它引起相当大的注意。当然，在衬底中主要的问题是掺杂，它同时决定了器件的阈值电压和它对偏置的灵敏度(或因此缺少)。MOSFET沟道区。在5.8节讨论过，沟道中用一次或多次注入来凋整掺杂水平和掺杂分
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