解析MOS晶体管版图及其制版示意说明

MOS晶体管制版

如上所述，掩膜版是通过图形发生器从编码后的布图制造出来的。一般的基本工艺包括把淀积在高质量玻璃板上的薄层铬(金属)膜表面上的光敏感或电子束敏感的抗蚀剂曝光，用类似于10.2节描述的那些工序，将光刻胶显影，然后腐蚀铬膜，在掩膜版上形成所要求的清晰和不透明的区域。MOS晶体管制版。铬是比较好的照相乳胶，因为它很耐磨，而且还可形成较高反差的象。电子束图形发生器已成为越来越主要的了。通常可直接制成掩膜版，掩膜版上包含有硅片上与每一个芯片相对应的按最后图形尺寸大小构成的重复的象。MOS晶体管制版。光学图形发生器通常制成一块只有一个芯片的象的掩膜版，这个象比最后图形尺寸大5或10倍，这个中间的掩膜版称为初缩版。然后，把初缩版光学投影成一个精确地缩小的象到另一个类似的光敏感的版上制成精缩版。这个投影按照顺序重复许多次，称为分步重复，以制成精缩版，这个版上包含了许多个芯片上的象。

通常每一层布图对应于一块掩膜版，但是，有些情况下，制出的版图数目大于布图的层数。这些附加的掩膜版是通过对各层布图进行逻辑操作，如NOT、AND和OR制成的。例如，如果一个E/D NMOS工艺要求耗尽型器件防止增强型的注入，在10.3节讨论过，这就要求制出一块与耗尽层图形相反的(NOT)掩膜版。MOS晶体管制版。同样的，在CMOS工艺中，虽然似乎只用单一的，称为“p⁺”层把实际p⁺掺杂区与n⁺(掺杂区分开，但是，这常常需要两块版。MOS晶体管制版。一块版保护p⁺区，防止n⁺注入，另一块是与前面一块版上的象相反的一块掩膜版，用来保护n⁺区不受p⁺的注入。实际制造工艺的细则一旦决定后，这些附加的掩膜版不难从布图的CIF编码中产生。

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