信息来源: 时间:2022-4-11
SRAM规模的增大,引起列线的电流增加,而限制了维持功耗的降低。SRAM不同于DRAM,在维持状态下总有一条字线是高电平,列电流通过位线负载管、单元门管和工作管流到Vss。图3.54为列电流的通路。列数越多,列电流越大。列电流与单元负载的形式无关,也就是说总的列电流主要决定于一条字线所驱动的单元数,字线越长,问题越严重。
此外,随着SRAM的尺寸缩小,容量不断增大,字线又细又长,寄生电阻很大,导致从行地址译码输出到达字线末端单元的延迟时间很长。
字线分割技术就是为解决上述两个问题所提出来的技术措施,其电路方案如图3.55所示。一条字线上原有nc个单元(nc列),把它们分成nB段。每段的单元数为nc/nB。字选译码分成两级,字译码作一次译码,把它与段选讯号相“与”作为二次译码。
这样设计的好处是使每次被字线选上的单元数减少nB倍,因此列电流与维持功耗也减少同样倍数。同时,字线的长度缩短nB倍,字译码输出的延迟也应缩短nB倍。主字译码输出用金属线连到各“与”门输入,金属线的寄生电阻很小,并且不带门管负载,它的延迟相对可以不计。
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