MOSFET用作线性“电压-可调”电阻示意图分析

当MOS晶体管工作在漏-源电压很低的区1时，器件就起了所谓的“可调线性电阻”的作用。在区1，MOS器件，其漏源之间可当作一只电阻器，而电阻的阻值是外加栅压的函数，为了得到良好的精确度，（4·1）描述了在低漏-源电压时晶体管的工作情况。实际上，相对于源（接地）而言，如果把漏压的极性反过来，MOS晶体管仍然可以起着可调电阻的作用，这时漏压与漏-村底二极管的开通电压相近，典型值约0.5伏。对于两种极性的漏压，其电压可调线性电阻区的工作生动地示于图6-15a和6-15b，这些照片显示了商用P-沟道MOS晶体管的特性在一个方向上，可调电阻区的工作范围受到夹断的限制，夹断一开始，曲线就进入电流饱和区，另一个方向，其工作范围却受到漏-衬底二极管的开通电压限制。N-和P-沟道元件（增强型和耗尽型）都能够工作在“电压可调线性电阻”的状态。

工作在这种状态的MOS晶体管，其应用范围几乎是无限的。凡是使用可调电阻或者电位器（其阻值可以设计为系统电压的函数）的地方都可以采用MOSFET，应用MO S器件作为可调电阻的唯一困难是受到漏-源电压的限制，因为每时每刻晶体管的电压都必须维持在足够低的数值。Bilcfti已经发现，如果牺牲给定栅压时阻值的变化量，那么可调电阻区漏-源电压的摆动范图可以增大。衬底浮置时，通过从漏到栅的电阻性反馈就可以达到这个目的。

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