mos管性能测试(mos管测试电路图)

作者: 时间:2024.7.19

MOS管性能测试?别慌!让老司机带你玩转!

嘿,各位电子爱好者们!今天咱们来聊聊MOS管的性能测试。别看这小小的芯片,它可是电路中的“灵魂人物”,性能的好坏直接影响着整个电路的稳定性和效率。

为了避免你们“眼花缭乱”,我决定化身“老司机”,带你们一步步玩转MOS管性能测试,保证让你“秒懂”!

咱们得先了解MOS管的“前世今生”。

简单来说,MOS管就是一种“开关”,它通过控制栅极电压来控制漏极电流,从而实现对电路的“开”和“关”。而性能测试,就是为了“摸清”MOS管的真实实力,看看它到底有多“厉害”!

为了更形象地展示,我画了个让你们对MOS管的“关键指标”一目了然:

指标 英文缩写 解释
源漏击穿电压 BVDSS DS之间的耐压情况,值越大,耐压能力越强
源漏泄漏电流 IDSS DS沟道关闭时的泄漏电流,值越小,漏电越少
栅极泄漏电流 IGSS 在一定栅压下流过栅极的泄漏电流,值越小,漏电越少
开启电压 Vth 能使漏极开始有电流时的栅极电压,值越低,更容易开启

接下来,咱们就来“实战”一下!

1. 耐压测试:

这就好比测试一个人能承受多大的压力。

「按下图连接测试电路,设置VGS=0V,VSS1从0V以0.1V步增,逐渐增加电压至IS=1mA,且MOS无损毁,记录VSS1的电压。」

别慌,别慌!我解释一下:

VGS是栅源电压,我们将其设置为0V,相当于“关掉”MOS管。

VSS1是源漏电压,我们逐渐增加它,观察MOS管能承受的最大电压。

IS是漏极电流,当它达到1mA时,表示MOS管已经接近“极限”。

2. 开启电压测试:

这就好比测试一个人“醒”过来需要多少“刺激”。

「测试时,将VDS设置为一定值,例如10V,然后逐渐增加VGS,直到ID达到某个预设值,例如1mA,此时的VGS即为Vth。」

简单来说,就是:

我们先给MOS管一个固定电压VDS,相当于“唤醒”它。

然后,逐渐增加VGS,观察MOS管开始“工作”需要的最低电压,也就是Vth。

3. 漏极电流测试:

这就好比测试一个人“干活”的效率。

「将VGS设置为某个特定值,例如5V,然后逐渐增加VDS,观察ID的变化,绘制ID-VDS曲线。」

也就是说:

我们给MOS管一个固定电压VGS,相当于“开工”。

然后,逐渐增加VDS,观察漏极电流的变化,看看它有多“给力”。

当然,除了这些“基础测试”,还有许多“高级测试”,比如动态参数测试、噪声测试等等。

如果你想深入了解,可以去搜索“MOS管性能测试”资料,或者观看一些“高清实操教学视频”。

提醒一下:

市场上“以次充好”的MOS管不少,所以“测一测”还是很有必要的。毕竟,谁也不想“装机出故障”后“百口莫辩”吧?

好了,今天的分享就到这里啦!你们还有什么问题吗?欢迎留言讨论!

如果有机会,我还会给大家带来更多关于MOS管的“秘籍”。

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