作者: 时间:2024.7.12
兄弟们,听说你们最近在玩MOS管?
别以为我不知道,你们这帮家伙,整天就想着在电路板上搞事情!什么三极管、二极管,现在又开始琢磨MOS管了?
我懂,我懂,你们想要征服电子世界,想要成为电路界的大佬!但是,兄弟们,先别急着上手,咱们得先搞清楚,这MOS管到底是个什么玩意儿?
别看这小小的MOS管,内部可是暗藏玄机!它可是个“半导体开关”,能控制电流的“生死大权”! 想让电流流过去?它就开着!不想让它流过去?它就关着!
但是,这MOS管的内部结构,可是比你们想象中还要复杂!
别怕! 我来给你们细细讲讲!
我们要知道,MOS管的内部结构,就像一个三明治!
上层: 一片“源极” (Source),就好比是“电流的源头”。
中层: 一层“栅极” (Gate),就好比是“开关”的按钮。
下层: 一片“漏极” (Drain),就好比是“电流的出口”。
然后,中间还有一层“绝缘层” (Insulator)! 这层“绝缘层”就像一个“隔板”,将“栅极”与“源极”和“漏极”隔离开,就像一个“护城河”,防止它们直接接触。
我们还需要一个“衬底” (Substrate),就像一个“地基”,为整个“三明治”提供支撑。
好了,现在,让我们来看看MOS管是怎么工作的!
当我们给“栅极”施加电压时,这个“电压”就会在“绝缘层”中形成一个“电场”。
这个“电场”就像一个“魔力”,可以吸引“源极”中的电子,让它们涌向“漏极”!
如果“栅极”电压足够高,就能让更多的电子通过,电流就越大!
反之,如果“栅极”电压低,电子就少,电流就小!
这就是MOS管的“开关”作用!
等等,还没完!
你们以为这就结束了吗?
当然不是!
还有两个重要参数,我们必须搞清楚!
那就是:Ciss 和 Coss!
Ciss, 是“输入电容” (Input Capacitance),代表着“栅极”与“源极”之间的电容!
Coss, 是“输出电容” (Output Capacitance),代表着“漏极”与“源极”之间的电容!
说白了,这两个参数,就是“电荷存储能力”!
就像一个水桶,Ciss 和 Coss 就决定了这个水桶能装多少水!
那么,这两个参数对MOS管有什么影响呢?
Ciss会影响MOS管的开关速度!
Ciss越大,就相当于这个水桶越大,需要更多时间才能装满!
所以,MOS管的开关速度就会变慢!
Coss 会影响MOS管的输出信号!
Coss越大,就相当于这个水桶越大,电荷就更容易储存,导致输出信号的延迟!
为了提高MOS管的性能,我们应该尽量选择 Ciss 和 Coss 更小的MOS管!
现在,我们再来总结一下,MOS管有哪些常见的类型?
类型 | 描述 |
---|---|
N沟道 MOSFET | 源极和漏极之间的导通电流由电子流动,栅极电压为正时导通,为负时截止 |
P沟道 MOSFET | 源极和漏极之间的导通电流由空穴流动,栅极电压为负时导通,为正时截止 |
增强型 MOSFET | 栅极电压为零时,源极和漏极之间处于截止状态,需要施加栅极电压才能导通 |
耗尽型 MOSFET | 栅极电压为零时,源极和漏极之间处于导通状态,需要施加栅极电压才能截止 |
好了,兄弟们,这期关于MOS管的知识就讲到这里!
希望你们能从中有所收获,也希望你们能够继续深入学习,成为真正的电路界大佬!
我想问问你们,你们觉得MOS管还有什么有趣的地方?或者你们还有什么问题想问?
快来评论区留言吧,我们一起探讨!