解析MOS管高频小信号模型适用的频率范围的特征

就所适用的频率范围而论，计入四个电容Cm、Cmb，Cmx和Csd使得完整的准静态模型优于图8.13的简单模型。改善的程度取决于偏压和我们所考虑的端子。例如，饱和时Cm最大，正是在这种情况下，就栅对漏的作用而言，两模型之间的差别最大。当VDS=0时，Cm=0，在这一点上两模型是相同的。另一方面，也正是在VDS=0时，Csd最大，  因此正是在这点上，就源对漏的作用而言，两模型的差别最大，为了提供某种粗略的指标，还是考虑饱和区的工作情况；对于小信号应用来说，饱和区是最重要的区域。假设模型中的元件值已经过选择，  因此在频率很低时，性能良好。然后，频率一直高到大约ω₀／3[这里的ω₀由式(8.3.6)给出]，性能继续良好，几乎没有恶化。这一结论是与9.4节中所讨论的更完善的非准静态模型比较后而得到的。现在，有一点应该引起读者注意。虽然完整静态模型适用的频率范围比较大，但若超出这一范围，该模型会给出极其错误的结果，事实上，在某些方面比图8.13的简单模型的结果更坏。这一重要论点将在9.5节中对模型进行比较时加以考虑。

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