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解析MOS管高频小信号弱反型及通用型工作特性
信息来源： 时间：2022-8-11
解析MOS管高频小信号弱反型及通用型工作特性
弱反型
弱反型时唯一重要的本征电容Cgb已在8.3节中讨论过了。推导其他一些本征电容的表达式是不值得的。MOS管高频小信号弱反型。对于所有器件(除沟道很长的器之外)来说，这些电容的效应将被非本征电容的效应所淹没。
适用子所有反型区的通用模型
利用7.4.5节中提出的精确的电荷计算而导出的电容与VGS的关系曲线示于图9.9。图中画出了用于图9.5模型中的所有九个电容。MOS管高频小信号弱反型。在中反型区附近，把水平轴放大便成了图9.10。最后，在图9.11中把Cgd和Cdg，Cba和Cdb以及Cgb和Cbg进行了比较。可见，这些电容对中的每一对电容，通常都是互不相等的，和本节由理论所预测的一样。MOS管高频小信号通用型。这些预测与测量结果是一致的。在图9.12中给出了一个例子。MOS管高频小信号通用型。
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