高速低温CMOS电路器件及其基本特性分析

在高速电路相互竞争中，目前可供选择的器件工艺为GaAs、Bipolar 以及小尺寸CMOS、BiCMOS等。

随着集成度的增加，GaAs和Bipolar电路的功耗太大，造成散热困难及器件稳定性问题。在VLSI领域内，小尺寸CMOS在集成度方面具有明显的优势，经计算预测，可达10⁷/片以上。然而，正如我们在第二章中所述，它在速度方面受到一定限制。

近年来，发现低温下工作的MOS电路速度大大提高，这是因为随着温度的降低载流子的迁移率和饱和速度大大增加。因此，低温下（77K，4.2K）工作的CMOS电路在不增加功耗的条件下可以接近GaAs及硅双极集成电路的速度。

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