讲述高速BiCMOS技术及其特性说明解析

80年代起，CMOS已成为VLSI的主流。它的主要优点是功耗低，集成度高，抗干扰能力强。随着工艺尺寸的缩小，速度和电路优值能够迅速提高。但正如第二章所述，CMOS VLSI的性能提高受到多种限制。

在超高速应用领域内，双极集成电路一直比MOS电路更有优势。但由于双极器件功耗大，占有硅面积大等根本缺点，使它的集成度无法达到VLSI水平。

CMOS与双极管（Bipolar）相比，主要缺点是对大电容负载的驱动能力差，其原因为Bipolar的跨导比一般MOS管大得多。

熟知双极管的跨导表达式为：

高速BiCMOS技术

其中为发射极电流，T为工作温度。

MOS管在饱和区的跨导表达式为：

高速BiCMOS技术

由于g_mB中分母KT/q是个小量，所以相同硅面积的g_mB比g_mM大上百倍之多。

在分析比较CMOS和Bipolar的各自优缺点的基础上，人们提出把它们的优点结合起来的高速低功耗BiCMOS技术。它的指导思想是以CMOS器件为主，在要求驱动大负载电容的地方加入Bipolar。同时利用Bipolar跨导大的优点，可以降低内部逻辑摆幅，提高速度。

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