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MOS场效应晶体管漏极电压低时的漏-源电导的原理分析
信息来源： 时间：2021-11-29
MOS场效应晶体管漏极电压低时的漏-源电导的原理分析
方程（4.14）是描述n沟道MOS场效应晶体管，在低于饱和电流漏电压的所有漏压值下工作的情况。MOS管漏-源电导。应用类似的方法，可以得到在低于饱和电流下工作的p沟道场效应晶体管漏极电流的表达式。
对于很低的漏源电压值
和
由此得到
因此，外加漏源电势非常小时，电流-电压关系近似等于
注意到下式是有意义的
也就是说，在强反型条件下，单位面积耗尽区电荷等于-Cox（2фF）1/2ф中。MOS管漏-源电导。记得平带电压定义为
阈电压由下式给出
通过应用（4.18），（4.19），（3.3），和（2.44）不难看出，在外加漏源电压非常小时，漏极电流可以近似写成
方程（4.20）是描述理想线性电阻的电学特性，其（可变）电阻率反比于栅极电压减去阈电压。换言之，在非常低的漏极电压极限情况下，漏-源电极之间的有效电阻趋近于
实际上，只有当栅-源电压足够低，沟道内电子迁移率基本上保持常数，而且漏-源电极的寄生电阻影响可以忽略不计时，（4.21）才能成立。
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