CMOS运放的瞬间相响应与建立时间解析

当t≥Ts时，运放进入线性放大状态，由图3.3-2得闭环的传递函数为

式中

由（3.3-17）式闭环放大器的极点为

显然，极点分布与阻尼系数ξ有关，因而建立时间也与有关。

由（3.3-19）、（3.3-21）式，得到

当1时，补偿电容Cc有如下关系，

利用（3.3-10）式初始条件及（3.3-17）式，可求得不同ξ值时的建立时间（详细推导可参看文献[13]）。

1、ξ<1（有过冲情况）

公式（3.3-27）第一项表示转换时间，第二项表示线性工作区的建立时间。若δ=0.001，则（3.3-26）、（3.3-27）式可写为

2、=1（临界阻尼）

上式的建立时间可用图解法求得。

3、〉1（过阻尼）

由上面讨论可知，要缩短建立时间TSST，应提高运放的单位增益带宽（GB=Avoω1）和高频极点频率ω2，并且扩大输入级的动态范围（Io/gm1）。

为获得较短的建立时间，取阻尼系数ξ小于1，通常取0.6~0.9。现对图3.3-3所示的CMOS运放电路进行瞬态分析。

图中各主要参数见表3.3-1.各管的宽长比见表3.3-2.

将图3.3-3接成跟随器，输入电压为伏阶跃信号，根据图3.3-3、表3.3-1的数据以及（3.3-23）、（3.3-27）式，可求得ξ=0.001时的建立时间TSST；

联系方式：邹先生

联系电话：0755-83888366-8022

手机：18123972950

QQ：2880195519

联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1

请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号

请“关注”官方微信公众号:提供  MOS管  技术帮助