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讲述晶体管热电压为基准的偏置电路分析
信息来源： 时间：2020-12-31
晶体管热电压
为基准的偏置电路
晶体管热电压
通常定义热电压=
，式中
为玻尔兹曼常数，T为绝对温度，q为电子电荷。以热电压为基准的偏置电路其典型电路形式如图2.7-4所示。
图中晶体管Q2的发射区面积是晶体管Q1发射区面积的n倍，M1~M4管构成反馈回路，使流过Q1和Q2的电流相等。由图可得
而且
将VBE关系式代入（2.7-6）式得
和电阻R均为正温度系数，只要选择适当的系数n，可使偏置电流I具有零温度系数，因而图2.7-4电路的偏置电流与温度无关，可作为基准电流源。
由于沟道调制效应，流过M1和M4管的电流略有不同，且输出电流
的大小也与输出端电压大小有关。为克服这一缺点，可用串级电流源，其电路形式如图2.7-5所示。
用图2.7-5的电路结构，可获得基准电压源和基准电流源，其电路形式如图2.7-6所示。由图和（2.7-7）式，Vo电压可写为
选择适当的n和电阻系数X，使上式的第一项和第二项的温度系数相互抵消，那么Vo可作为基准电压。由图可知，利用负反馈电路，可以将此基准电压Vo转换为稳定的电流
。
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