信息来源: 时间:2020-12-10
MOS阈值电压VT
所谓理想MOS管就是假定栅氧化层中不存在正电荷,金属栅极和半导体之间不能交换电子(即不考虑金属与半导体之间的接触电势差)。对于图1.2-5所示的理想n沟MOS管(衬底是P型硅),在栅极上加以电压VGS时,则有一部分电压降落在氧化层上,另一部分电压 ф 降落在半导体表面,即有:
由前面讨论可知,要使P型表面成为强反型,ф必须满足:
当表面刚形成强反型时,,耗尽层厚度达到最大值
,耗尽层中单位面积的电荷量
为:
由此便可得到理想的n沟MOS管的阈值电压:
由和
的表示式可知,在一定的温度下,对于一定的衬底材料,
和
的大小完全由掺杂浓度
决定。MOS阈值电压VT。掺杂浓度
越大,
越大,理想n沟MOS管的阈值电压
也越大。
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