MOS场效应管的阈值电压VT（VDS=0）

MOS阈值电压VT

所谓理想MOS管就是假定栅氧化层中不存在正电荷，金属栅极和半导体之间不能交换电子（即不考虑金属与半导体之间的接触电势差）。对于图1.2-5所示的理想n沟MOS管（衬底是P型硅），在栅极上加以电压VGS时，则有一部分电压降落在氧化层上，另一部分电压 ф 降落在半导体表面，即有：

由前面讨论可知，要使P型表面成为强反型，ф必须满足：

当表面刚形成强反型时，，耗尽层厚度达到最大值，耗尽层中单位面积的电荷量为：

由此便可得到理想的n沟MOS管的阈值电压：

由和的表示式可知，在一定的温度下，对于一定的衬底材料，和的大小完全由掺杂浓度决定。MOS阈值电压VT。掺杂浓度越大，越大，理想n沟MOS管的阈值电压也越大。

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